聊聊電阻帶氧化的整個(gè)過程

 根據(jù)其氧化速率，電阻帶的整個(gè)氧化過程可分為三個(gè)階段：

 階段是：氧化膜轉(zhuǎn)化為階段。在初期，合金被迅速氧化。氧化速率低后，氧化速率慢慢緩減。當(dāng)表面產(chǎn)生持續(xù)氧化膜時(shí)，氧化速率再次緩減，氧化進(jìn)入第2階段。

 現(xiàn)階段，氧化速率與時(shí)間的關(guān)系是一個(gè)離散變量系統(tǒng)軟件，氧化膜是一個(gè)片層結(jié)構(gòu)。

 在氧化膜產(chǎn)生的初期階段，合金中的銥、硅、鉻和其他易氧化物迅速與O2結(jié)合，導(dǎo)致相應(yīng)的氧化物附著在合金表面，導(dǎo)致持續(xù)的氧化膜。與此同時(shí)，合金中的鋁、硅、鉻和其他原素?cái)U(kuò)散到表面，并聚集在新的氧化膜下。

 其次，第2階段是氧化膜的穩(wěn)定階段。當(dāng)合金表面產(chǎn)生連續(xù)氧化膜時(shí)，氧向合金的滲透率再次降低。此時(shí)，仍有少量的O2可以根據(jù)氧化膜和聚集在氧化膜下的合金原素反映，導(dǎo)致內(nèi)部結(jié)構(gòu)氧化層。

 在這個(gè)階段，合金被氧化的速度非常慢。通過長期的高溫效應(yīng)，提高了氧化膜的密度和厚度，合金的氧化與時(shí)間呈線性相關(guān)。

 氧化穩(wěn)定階段越長，合金使用壽命越長。

 第3階段是氧化膜的破壞階段。當(dāng)合金內(nèi)部結(jié)構(gòu)氧化的發(fā)展趨勢達(dá)到y(tǒng)i定程度時(shí)，氧化膜慢慢開裂，使許多02進(jìn)入合金內(nèi)部結(jié)構(gòu)，氧化鐵、鋁、硅、鉻等宏觀經(jīng)濟(jì)元素，進(jìn)一步提高氧化率。同時(shí)，氧化膜慢慢開裂，造成破壞。